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第三代半導體碳化硅襯底關鍵技術研發(fā)及產業(yè)化項目竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表

發(fā)布者：alan    發(fā)布時間：2024-10-24      瀏覽次數：0

第三代半導體碳化硅襯底關鍵技術研發(fā)及產業(yè)化項目竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表

江蘇超芯星半導體有限公司租賃江北新區(qū)集成電路產業(yè)化基地B區(qū)5號樓A座已建廠房，利用碳化硅單晶制備、切割、研磨、拋光及晶體、晶片檢測儀等設備，建設碳化硅晶體生長及加工生產線，項目建成后形成年產碳化硅襯底3萬片的生產能力和規(guī)模。該項目于2024年5月28日取得《關于第三代半導體碳化硅襯底關鍵技術研發(fā)及產業(yè)化環(huán)境影響報告表的批復》（寧新區(qū)管審環(huán)表復〔2024〕42號）。項目于2024年5月開始生產車間施工裝修、設備安裝與調試。2024年7月工程竣工，并開始試生產。目前工程能夠穩(wěn)定運營。

根據相關規(guī)定主動公開建設項目竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表全本。公示內容：竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表、驗收意見。自公示發(fā)布日起，20個工作日止。

公示附件：第三代半導體碳化硅襯底關鍵技術研發(fā)及產業(yè)化項目竣工環(huán)境保護驗收監(jiān)測報告表、超芯星竣工環(huán)境保護自主驗收意見 提取碼: 5h9n